Caractérisation des dégradations des transistors à structure M. O. S : nouveaux paramètres physiques caractéristiques

par Elmaâti Bendada

Thèse de doctorat en Sciences physiques. Micro-électronique

Sous la direction de Pierre Mialhe.

Soutenue en 1995

à Perpignan .

mots clés

• MOS (électronique)

Résumé

Le but de ce travail est de montrer et de caracteriser les effets d'une irradiation (co-60) sur le fonctionnement des composants a structure d-mos de type hexfet. L'etude est basee sur la determination des parametres de structure (resistance serie et facteur de qualite) et des parametres electriques (courants inverses de diffusion et de recombinaison) de la jonction substrat-drain par l'analyse de sa caracteristique courant-tension. L'evolution des caracteristiques courant-tension de la jonction substrat-drain avec les conditions de fonctionnement est obtenue fortement dependante de la dose d'irradiation recue par le composant. Nos etudes ont montre que les valeurs de ces parametres de structure et du courant inverse de recombinaison augmentent avec la tension de grille et avec la dose absorbee et que cette augmentation est d'autant plus sensible que la tension de grille est proche de la tension de seuil. L'origine de ces modifications a ete liee aux distributions de charges piegees et de defauts qui sont profondement alteres par l'irradiation. La modelisation du fonctionnement de la jonction substrat-drain fait intervenir le potentiel d'interface oxyde-semiconducteur. Le facteur de qualite de la jonction substrat-drain d'un transistor micronique apparait comme un parametre permettant de quantifier l'effet d'une irradiation

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