Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes
Sous la direction de Jean Gasiot.
Soutenue en 1995
à Montpellier 2 .
L'etude du comportement de composants electroniques soumis a une irradiation ionisante est le theme de ce memoire. Les photocourants observes dans une diode irradiee sont etudies tres precisement. Une analyse critique des performances et des domaines d'utilisation de modeles existants est fournie. Deux modeles originaux, l'un analytique et l'autre numerique 1d, sont proposes. Ils ameliorent la simulation des photocourants et permettent de mieux detailler les problemes lies a l'irradiation d'une jonction. Cette etude est suivie d'une etude en simulation du comportement d'une structure de type transistor, issue des etudes de durcissement des transistors mosfet de puissance. Une correlation tres etroite entre la caracteristique statique et le comportement de la structure irradiee est mise en evidence. Ce resultat original peut fournir un outil predictif en vue de durcir les composants
Synthesis and modelisation of the phenomena induced by a transient irradiation in diodes and transistors. Photocurrents generated by a x flash
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