Thèse soutenue

Étude et réalisation de transistors à effet de champ à canal InP pour l'intégration optoélectronique
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Auteur / Autrice : Kamal Naït-Zerrad
Direction : Francis Balestra
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Optique, optoélectronique et micro-ondes
Date : Soutenance en 1995
Etablissement(s) : Grenoble INPG

Résumé

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Ce travail est consacre a l'etude et a la realisation de transistors a effet de champ a heterostructure (hfet) a canal inp dope et a barriere alinas non dope, sur substrat inp semi-isolant, pour l'integration optoelectronique. Le chapitre introductif presente les proprietes des composes iii-v et en particulier l'interet du phosphure d'indium, ainsi que les differentes structures de fet developpees avec de l'inp comme couche active. Dans le chapitre suivant, nous determinons les structures de hfets, a l'aide de simulations numeriques et suivant les applications envisagees. Les differentes technologies utilisees dans ce travail -conventionnelle, a grille suspendue et auto-alignee- sont alors presentees. Les performances statiques et dynamiques obtenues sur ces transistors sont detaillees dans le troisieme chapitre. Nous comparons les differentes structures et technologies employees et nous concluons a la superiorite de la technologie a grille suspendue. Quant a l'auto-alignement, il nous a permis de reduire les resistances d'acces et d'ameliorer les performances statiques des hfets a canal inp. Nous montrons egalement l'excellente tenue en tension drain-source des transistors. Le quatrieme chapitre est consacre aux mesures de bruit a basse frequence sur ces transistors. Nous montrons l'effet des etapes technologiques et de la reductioon des resistances d'acces sur le niveau de bruit du dispositif. Les premiers resultats de la caracterisation par spectroscopie de transitoires des defauts profonds dans les dispositifs sont ensuite presentes. Afin de valider les performances obtenues, nous presentons dans le dernier chapitre les sensibilites obtenues sur un photorecepteur hybride pin-hfet inp et quelques resultats de caracterisation de ces transistors en amplification hyperfrequence