Imagerie de photoluminescence résolue en longueur d'onde à la température ambiante sur semi-conducteurs III-V

par Christian Klingelhöfer-Boeninger

Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Stanislas Krawceyk.


  • Résumé

    Le progres dans les domaines de l'optoelectronique et microelectronique dans les dernieres annees est base, en particulier, sur l'utilisation des alliages de semi-conducteurs III-V. Cependant, la fabrication de ces materiaux se heurte au moyen d'une bonne reproductibilite ce qui a rendu indispensable la recherche de techniques de caracterisation rapides et non-destructives. A cet effet, le prototype d'un systeme industriel d'imagerie de la photoluminescence resolue en longueur d'onde a ete developpe au cours de ce travail. Des methodes d'analyse et de traitement utilisant cet instrument de mesure ont ete recherchees et mises au point pour expertiser, optimiser et controler les technologies de la fabrication de materiaux et de composants semi-conducteurs.

  • Titre traduit

    Spectrally resolved roomtemperature scanning photoluminescence on III-V semiconductors


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    The progress of the last years in the opto and microelectronics domain is namely based on the use of III-V semiconductor alloys. However, the fabrication of these materials is retarded by the inferior reproducibility which has made the research of fast and non destructive characterisation methods indispensable. In this regard, the prototype of an industrial, spectrally resolved photoluminescence scanning system was developed in this work. Analysing and treatment methods using this instrument were researched and perfected to expertise, to optimise and to control the fabrication technologies of semiconductor materials and compounds.

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  • Détails : 283 p.
  • Annexes : 138 réf.

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