Contribution aux caractérisations électrique et thermique des transistors de puissance à grille isolée

Contribution to electrical and thermal characterisation of isolated gate power transistors

• Auteur / Autrice : Ebrahim Farjah
• Direction : Robert Perret
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Génie électrique
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Grenoble INPG

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors de puissance

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Etude theorique

Simulation numerique

Caracteristique electrique

Comportement thermique

Transistor puissance

Transistor bipolaire grille isolee

Couplage electrothermique

Parametre thermosensible

Theoretical study

Numerical simulation

Electrical characteristic

Thermal behavior

Power transistor

Insulated gate bipolar transistor

Résumé

L'IGBT est bien adapté aux applications de moyenne puissance. La tendance actuelle est l'amélioration de ses possibilités tant au niveau de la tension et du courant admissibles qu'au niveau de la fréquence de fonctionnement. Ce transistor dans un avenir très proche devrait remplacer bon nombre de composants. Une meilleure connaissance de I'IGBT passe par une caractérisation électrique et thermique précise, afin d'améliorer la conception des convertisseurs modernes de l'Electronique de Puissance. Dans ce travail, nous avons effectué une étude détaillée des différentes méthodes de caractérisation des composants semi-conducteurs et plus particulièrement de I'IGBT. Pour arriver à ce but, nous avons développé et/ou utilisé des programmes de calcul et des logiciels ayant trait aux domaines électrique et thermique. Dans certains cas, un modèle comportemental, où le composant est considéré comme une boite noire est étudié par ses entrées et sorties, est suffisant. Finalement, nous avons étudié plusieurs manières de prendre en compte ce phénomène dans des outils de simulation