Auteur / Autrice : | Stéphane Lefebvre |
Direction : | François Forest |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Électronique, électrotechnique, automatique |
Date : | Soutenance en 1994 |
Etablissement(s) : | Cachan, Ecole normale supérieure |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Cette étude analyse la commutation de blocage d'un igbt utilise en commutation quasi-résonnante a zéro de courant. Deux igbt de structure technologique différente ont été étudiés, le premier est à base non homogène et a couche tampon, le second à base homogène et contrôlé d'injection de charges par l'émetteur. L'évolution de la charge stockée dans la base du transistor bipolaire interne au blocage est suivie et analysée à l'aide de simulations et d'expérimentations. Différents éléments interviennent sur l'évacuation de la charge stockée donc sur les pertes au blocage, qu'ils soient propres au composant (coefficients d'injection ou durées de vie) ou a sa commande (maintien du canal lors de la conduction de la diode antiparallèle). Ce qui permet de comprendre pourquoi les pertes au blocage sont plus faibles en commutation a zero de courant qu'en commutation commandée. Une caractérisation électrique et thermique de l'igbt permet ensuite de quantifier l'influence des conditions de commutation sur les pertes au blocage. Des limites de fonctionnement sont ainsi définies, pour s'affranchir de l'emballement thermique, principale cause de destruction des igbt a couche tampon en zcs a fréquence de découpage élevée