Dépôt des couches de silicium polycristallin dopées in -situ au phosphore par la technologie VLPCVD : étude des propriétés physiques et électriques

par Ahmed Liba

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Michel Sarret.

Soutenue en 1993

à Rennes 1 .

mots clés

Résumé

Ce travail presente une etude des depots sur substrat de verre de silicium dope in situ au phosphore, par la technique de decomposition thermique de silane a basse pression ou lpcvd. L'objectif de cette etude est la maitrise du taux de dopage de l'element phosphore dans les couches minces de silicium elaborees a une temperature n'excedant pas 600c. Nous avons cherche les parametres de depot (temperature, pression, rapport ph#3/sih#4) qui conduisent a des films permettant la realisation de transistors couches minces

Titre traduit

Very law-pressure chemical vapor deposition of in situ phosphorus doped silicon films. Study of physical and electrical properties

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