Evolution des parametres electriques dans les tegfet standards (algaas/gaas) et pseudomorphiques (algaas/ingaas/gaas)-a grille ultra courte

par Yan Jin

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Guy Vernet.

Soutenue en 1993

à Paris 11 .

mots clés

Résumé

L'evolution des proprietes dynamiques des transistors a heterojonction (tegfet) standards algaas/gaas et pseudomorphiques algaas/ingaas/gaas de longueur de grille ultra courte autour de 0,1 micron est analysee a partir de caracterisations electriques en regime statique et micro-onde (jusqu'a 50 ghz). Une methodologie de caracterisation micro-onde dont l'application aboutit a l'obtention des parametres electriques precis des tegfet de tres faible dimension a ete developpee. L'etude experimentale a permis de determiner, a partir d'un nombre eleve d'echantillons, les caracteristiques de transistors des deux technologies en fonction de la longueur de grille et des polarisations de grille et de drain. Ces resultats confrontes a ceux obtenus par des modelisations physiques effectuees dans une etude parallele conduisent a mieux comprendre le comportement de ces tegfet a grille ultra courte. L'analyse detaillee du fonctionnement des transistors met en evidence l'influence de certains choix de conception et de la technologie de fabrication sur les performances. Les resultats preliminaires de la caracterisation a tres basse temperature (70k) sont aussi presentes. Les caracteristiques des tegfet pseudomorphiques montrent un meilleur controle et un meilleur confinement des porteurs dans le canal. L'analyse de la variation des parametres electriques pour les deux types de structures fournit des informations quantitatives sur les ameliorations a apporter pour optimiser des tegfet de longueur de grille voisine de 0,1 micron

Titre traduit

Electric parameter evolutions in conventional (algaas/gaas) and pseudomorphic (algaas/ingaas/gaas) tegfets with ultra-short gate

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