Caracterisation des propriets de transport electronique du silicium par des methodes photothermiques

par BENOIT FORGET

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Danièle Fournier.

Soutenue en 1993

à Paris 6 .

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Résumé

Les methodes photothermiques consistent a irradier un echantillon par un flux lumineux module et a detecter in situ, par des techniques sans contact et non destructives, l'elevation locale de temperature qui en resulte. De plus dans le cas d'echantillons semiconducteurs, si l'energie des photons du faisceau excitateur est superieure a celle de la bande interdite, l'absorption de ce faisceau cree des paires electrons-trous. Ces porteurs libres interviennent dans le processus de thermalisation de l'energie lumineuse et engendrent des effets propres qui s'ajoutent aux effets thermiques. Le plan de cette these s'articule autour de resultats experimentaux permettant de mettre en evidence progressivement les effets lies a la diffusion et a la recombination des porteurs libres, et par consequent de caracteriser les proprietes de transport electronique du silicium. D'abord la deviation mirage au-dessus de l'echantillon permet la determination de la vitesse de recombination de surface. Ensuite le temps de vie, la diffusivite electronique et la vitesse de recombination de surface peuvent etre caracterises independamment par la deviation mirage en volume et par la photoreflexion. Enfin le regime non lineaire de la photoreflexion permet d'etudier la recombination auger

Titre traduit

Photothermal characterization of the electronic transport properties of silicon

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