Modèle analytique du transistor à effet de champ à grille métallique sur GaAs pour une utilisation de type CAO : application à la conception d'un oscillateur

par André Bigand

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Pierre Pouvil.

Soutenue en 1993

à Paris 6 .

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Résumé

Un nouveau modèle analytique permettant d'obtenir les schémas électriques «petit-signal» et «grand-signal» d'un MESFET submicronique sur GaAs est présenté. Ce modèle intègre de nombreux résultats issus de simulations bi-dimensionnelles (phénomène d'injection dans la couche tampon, phénomène d'avalanche, extensions de la zone désertée. . . ). Ce modèle est adapté à la C. A. O. à partir des paramètres physiques du composant et donc à la simulation de circuits linéaires et non linéaires (paramètres S, conception d'oscillateur, de mélangeur,. . . , et a donné de bons résultats (quelques résultats théoriques et expérimentaux sont présentés à 6 GHz et permettent d'apprécier les qualités du modèle)

Titre traduit

A new analytical model for the gallium arsenide field effect transistor (MESFET) for computer aided design software. Application to the design of an oscillator

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