Etude, conception et développement industriel d'un mesureur de bruit de fond de transistors à effet de champ, haute tension, de puissance

par Laurent Boggiano

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de Gilles Lecoy.

Soutenue en 1993

à Montpellier 2 .

mots clés

• Transistors à effet de champ -- Bruit
• MOS (électronique) -- Bruit
• Semiconducteurs de puissance -- Bruit
• Bruit électronique
• Bruit radioélectrique -- Mesure -- Applications industrielles
• Systèmes homme-machine

Résumé

Cet appareillage permet de mesurer le bruit de transistors mos de puissance en regime ohmique (i#d max; 3 a; v#d#s max:15 v) ou en regime de saturation (v#d#s max:350 v, i#d max:3 ma). La polarisation du transistor est realisee par un ensemble d'alimentations faible bruit concues a partir de la mise en cascade de 3 modules de regulation. Les asservissements mis en jeu permettent de garantir un point de fonctionnement stable sans degrader les caracteristiques de bruit. Les alimentations v#d#s fort courant et haute tension presentent respectivement des tensions de bruit propre de 1,4 et 1,8 nv efficace par racine carree de hz a 31,6 hz. Le bruit du transistor est traite par une chaine de mesure de bruit composee d'un amplificateur large bande, de rejecteurs, de fibres entre 31,6 hz et 3,16 khz d'un multiplexeur et d'un convertisseur analogique-numerique. L'automatisation du mesureur est realisee par 2 microprocesseurs, l'un gerant les protocoles de polarisation, l'autre dedie a la mesure de bruit. Pour rendre convivial les relations homme-machine, le mesureur est pilote par un micro-ordinateur

Titre traduit

The study, design and industrial development of a high voltage and power f. E. T. 's noise meter

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