Thèse de doctorat en Sciences. Génie des matériaux
Sous la direction de Yves Pauleau.
Soutenue en 1993
à Grenoble INPG .
L'objectif de la presente etude est le developpement d'un procede d'interconnexion pour la restructuration locale du reseau des lignes conductrices dans les circuits integres prototypes. Un procede d'ecriture directe par laser de lignes d'interconnexion a ete developpe. Il fait intervenir les interactions entre un faisceau laser, un substrat absorbant et un gaz reactif. Une modelisation des interactions a permis de decrire le transfert de matiere de la phase gazeuse vers la zone de reaction. La structure des substrats permettant la determination de la temperature induite par le faisceau laser a ensuite ete definie. La technique d'ecriture directe a alors ete mise en uvre pour le depot, a l'echelle du micron, de nickel, a partir de la decomposition du nickel tetracarbonyle (ni(co)4), et de silicium, a partir de la decomposition du silane (sih4) et du trisilane (si3h8). La morphologie, la composition et les proprietes electriques des materiaux deposes ont ete analysees. Les cinetiques de croissance, en fonction de differents parametres tels que la temperature de surface et les pressions des gaz reactifs, ont ete mesurees et des mecanismes reactionnels sont proposes. Enfin, le procede d'ecriture directe par laser de lignes d'interconnexion de nickel a ete applique avec succes a la reconfiguration de circuits integres
Laser direct-write of interconnect lines in electronic devices: growth kinetics of the reaction processes and characterization of the deposited materials
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