Caractérisation d'oxydes de sicilium par spectroellipsométrie et par gravure chimique
par Bichr Skheyta
Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée
Sous la direction de Alain Gagnaire.
Soutenue en 1993
à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon , en partenariat avec Laboratoire de Matériaux Mécanique-Physique (Ecully, Rhône) (laboratoire) .
- Silice
- Semiconducteurs
- Ellipsométrie
mots clés
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Résumé
L'objectif de ce travail est la mise au point d'une méthode de caractérisation d'oxydes par gravure chimique, l'épaisseur des oxydes étant contrôlée par ellipsométrie spectroscopique. Cette méthode est appliquée à l'étude du système Si02/Si, élément de base de la technologie silicium en micro-électronique.
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Pas de résumé disponible.
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Résumé
Oxides deposited by various techniques differ in their resistance to certain etchants. It is well known that the dissolution rate of an oxide film in a chemical etchant is a method to obtain qualitative informations on the structure an composition of these films.
