Caractérisation d'oxydes de sicilium par spectroellipsométrie et par gravure chimique
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Auteur / Autrice : | Bichr Skheyta |
Direction : | Alain Gagnaire |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée |
Date : | Soutenance en 1993 |
Etablissement(s) : | Ecully, Ecole centrale de Lyon |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire de Matériaux Mécanique-Physique (Ecully, Rhône) |
Mots clés
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Mots clés contrôlés
Résumé
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L'objectif de ce travail est la mise au point d'une méthode de caractérisation d'oxydes par gravure chimique, l'épaisseur des oxydes étant contrôlée par ellipsométrie spectroscopique. Cette méthode est appliquée à l'étude du système Si02/Si, élément de base de la technologie silicium en micro-électronique.