Ordre et désordre de couches minces: A/ préfusion de surface de films minces de méthane physisorbés sur graphite, étudiée par diffusion de neutrons: B / épitaxie de disiliciure de fer er de cobalt Si(111) : étudiée par diffusion de rayons X

Order and disorder in thin films: A/surface premelting of methane adsorbed on graphite studied by quasi-elastic neutron scattering: B/epitaxy of iron and cobalt disilicides grown on silicon(111): studied by X-ray diffraction

• Auteur / Autrice : Pierre Stocker
• Direction : Jean-Marc Gay
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 2
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université d'Aix-Marseille II. Faculté des sciences (1969-2011)

Résumé

Le travail de these rapporte dans ce memoire s'articule autour du theme central de l'ordre et du desordre de surface et de couches minces, vu a travers des etudes structurales et dynamiques. Le premier axe de recherche est celui de la prefusion de surface. En realisant une experience de diffusion quasi elastique de neutrons sur des films de methane adsorbe sur des feuillets orientes de graphite, nous avons mis en evidence une anisotropie de la mobilite translationnelle suivant les directions parallele et perpendiculaire a la surface. Cette anisotropie est maximale vers 3 k au-dessous du point de fusion, et se reduit lorsque la couche prefondue s'epaissit au voisinage de la temperature de fusion tridimensionnelle. Le deuxieme axe de recherche repose sur l'etude par diffusion de rayons x de l'epitaxie de disiliciures de fer et de cobalt deposes sur silicium (111). Dans une premiere partie, nous nous sommes interesses a la caracterisation topologique comparative de couches minces de disiliciure -fesi#2 preparees par deux methodes differentes rde (reactive deposition epitaxy) et spe (solid phase epitaxy). Dans une deuxieme partie, des etudes structurales (diffraction) ont permis l'identification des couches deposees, ainsi que leur relation d'orientation epitaxiale avec le substrat. Pour des couches plus minces d'environ 40 a obtenues par epitaxie de jets moleculaires a 550c, la conjonction d'une analyse par diffraction rheed et par diffraction de rayons x en incidence rasante a permis de mettre en evidence l'existence d'une phase -fesi#2 normalement stable a haute temperature (>940c)