Etude par photoémission X résolue angulairement de la morphologie de couches de fluorures (Ca,Sr)F2 épitaxiées sur GaAs ou Si

par Gino Olive

Thèse de doctorat en Physique des solides

Sous la direction de Fernando Pradal.

Soutenue en 1992

à Toulouse 3 .

mots clés

Résumé

La photoemission x resolue angulairement (arxps) permet de modifier la sensibilite a la surface de l'emission photoelectronique par la variation de l'angle d'analyse. On dispose ainsi d'une methode non destructive d'une resolution inferieure a environ 50 angstroms de profondeur pour caracteriser la composition et la morphologie de la region surfaciale. Dans le cas de couches d'une centaine d'angstroms de (ca,sr)f#2 epitaxiees sur gaas ou si, les courbes d'evolution angulaire des intensites de photoemission temoignent d'une nette difference de morphologie pour les deux orientations cristallographiques des substrats (100) et (111). On rend compte des differents comportements angulaires grace a un modele simple de rugosite. Cette rugosite nanoscopique des fluorures (100) confirme le facettage des surfaces selon des plans (111) d'energie inferieure a celle de la surface (100). Le calcul de l'influence de la rugosite sur l'intensite de photoemission etablit des criteres sur les rapports d'intensite (couche sur substrat) qui permettent de comparer directement sur differents echantillons le taux de recouvrement des substrats. Dans cet esprit, nous observons l'effet favorable de recuit sur l'interface qui conforte l'idee d'activation thermique des liaisons atomiques entre les ions metal des fluorures et l'arsenic ou le silicium du substrat. La formation de ce type de liaisons est liee a la desorption d'une couche de fluor a l'interface. Dans le cas de substrat de gaas, cette desorption s'accompagne de la disparition de gallium: nous montrons qu'effectivement la terminaison par du gallium du substrat facilite l'interaction de ce dernier avec le fluorure

Titre traduit

Angle resolved photoemission study of the morphology of fluoride (ca,sr)f#2 epilayers on gaas or silicium

Pas de résumé disponible.