Réalisation et optimisation de couches de Ga1-xAlxSb (0<-x<-0. 08) et de l'implantation beryllium pour l'étude de l'ionisation par impact. (Application au photodétecteur à avalanche)
par Abdallah Sabir
Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes
Sous la direction de Michèle Pérotin.
Soutenue en 1992
à Montpellier 2 .
- Dispositifs à couches minces
- Semiconducteurs dopés
- Aluminium
- Béryllium
- Épitaxie
- Liquides
- Ionisation
- Capteurs optiques
- Diodes à avalanche
- Structure électronique
- Optoélectronique -- Matériaux
- Photoluminescence
- Mesures électriques
mots clés
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Résumé
Le but du travail decrit dans ce memoire est la realisation de dispositifs permettant l'etude de la multiplication dans le proche infrarouge. Dans cette optique nous avons realise par epitaxie en phase liquide et caracterise (optiquement et electriquement): des couches de ga#1##xal#xsb de composition variable (0x0,08); des implications sur ces couches conduisant a des jonctions de qualite permettant l'observation de l'ionisation par impact
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Titre traduit
Realization and optimization of ga#1##xal#xsb (0x0,08) epilayers and of of beryllium implantation in order to study impact ionization (application to avalanche photodetector)
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Pas de résumé disponible.
