Étude expérimentale du transistor à effet de champ microondes dans des conditions très faible bruit et basses températures

Experimental study of microwave field effect transistors under very low noise and low temperature conditions

• Auteur / Autrice : Abdennaceur Baghdad
• Direction : Georges Salmer
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors à effet de champ

Résumé

L'objectif de la thèse était d'étudier les propriétés et caractéristiques des transistors à effet de champ microondes dans le cadre d'applications à l'amplification très faible bruit et en très basses températures. Une grande partie de ce travail avait des implications directes dans le domaine spatial. Cette étude a nécessité la mise au point d'une technologie particulière pour la mesure de très faible facteur de bruit en microonde et en particulier dans deux cas spécifiques: − dans la bande des 800 MHz-1 GHz; − en bande X et KU et en régime basse température (77 K). Elle a abouti à des résultats nouveaux et originaux: − d'une part dans la bande des 1 GHz, il a été montré pour la première fois que le «plancher» de bruit pouvait être d'un niveau très inférieur aux prédictions et que dans cette gamme le bruit de diffusion était prédominant; − d'autre part, en régime basse température, les améliorations des performances en terme de fréquence de coupure et de facteurs de bruit ont pu être corrélées étroitement aux caractéristiques technologiques des composants, en particulier des transistors à hétérojonctions. Des améliorations considérables et des facteurs de bruit très faibles (0,25 dB à 13 GHz) ont pu être observés