Contribution à l'étude de l'élaboration du nitrure de silicium par un nouveau procédé de dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma

par Chakib Fakih

Thèse de doctorat en Génie des procédés

Sous la direction de René S. Bes.

Soutenue en 1991

à Toulouse, INPT .

mots clés

• Tétraméthylsilane
• Nitrure de silicium
• Dépôt chimique en phase vapeur
• Plasmas froids
• Ammoniac

Résumé

Fonctionnement selon le principe de la chemical vapour deposition by distinct electronic and thermal activations, un nouveau dispositif est mis en uvre pour le depot de couches minces de nitrure de silicium. Les depots ont ete caracterises par differentes methodes analytiques telles que, ellipsometrie dans le visible, spectroscopies i. R. -t. F. , auger, esca et meme par microscopie electronique a 1,2 mv en utilisant l'appareil du laboratoire d'optique electronique du cemes/cnrs de toulouse. Les conditions operatoires requises pour l'elaboration de films de nitrure de silicium de tres haute qualite ont ete mises en exergue

Pas de résumé disponible.