Caractérisation du dispositif implanté p+/n à base de Ga0. 96Al0. 04Sb : application aux mesures des coefficients d'ionisation

par Moulay el Hassane Archidi

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de L. GOUSKOV.

Soutenue en 1990

à Montpellier 2 .

mots clés

• Composés ternaires
• Gallium -- Composés
• Aluminium -- Alliages
• Antimoine
• Diodes à avalanche
• Capteurs optiques
• Ionisation

Résumé

Dans ce travail on decrit les proprietes photoelectriques de diodes mesa implantees p#+/n a base de ga#0#,#9#6al#0#,#0#4sb fabrique par epitaxie en phase liquide et les mesures de multiplication de photocourant conduisant aux determinations des coefficients d'ionisation des electrons et trous dans ce materiau. Les caracteristiques capacite-tension et reponse spectrale permettent d'abord de deduire les parametres photoelectriques: profil de champ electrique, longueurs de diffusion des porteurs. Ensuite, apres avoir verifie l'homogeneite de la multiplication a partir de la topographie du photocourant sous polarisation inverse, les mesures de multiplication a plusieurs longueurs d'onde sont realisees. On a pu rendre compte des multiplications observees sur trois couches implantees de meme composition en aluminium (x#a#l=0,04) en adoptant les memes lois de variation des coefficients d'ionisation en fonction du champ electrique. On confirme une valeur elevee (superieure a 10) de leur rapport dans la gamme de champs etudies (18 a 32 volts par micrometre). Les valeurs des coefficients d'ionisation ainsi determines correspondent a une structure de bande du materiau pour laquelle l'energie de l'eclatement spin-orbite est inferieure mais voisine de l'energie du gap. Elles sont comparees aux valeurs publiees par d'autres auteurs et discutees dans le cadre du modele de ridley dans l'approximation des bandes paraboliques

Titre traduit

Characterization of an implanted p#+/n ga#0#. #9#6al#0#. #0#4sb device, application to the measurement of the ionization coefficients

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