Etude de transistors mos à canal implanté : caractéristiques courant-tension et bruit de fond : application aux amplificateurs de lecture de dispositifs à transfert de charges

Study of ion-implanted mos transistors: i-v characteristics and noise. Application to charge coupled device output amplifiers

• Auteur / Autrice : Amani Kouadio
• Direction : Dominique Rigaud
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Modèles mathématiques

Bruit électronique

MOS (électronique)

Amplificateurs

Résumé

La realisation de capteurs optiques de haute resolution necessite des amplificateurs de lecture rapides et faible bruit. Les transistors mos a canal implante les constituants ont ete etudies et modelises tant au niveau de leurs caracteristiques i(v) qu'au niveau de leur bruit de fond. Un modele de l'amplificateur complet est egalement propose. Les resultats obtenus par simulation sont compares aux caracteristiques experimentales. L'accord satisfaisant permet de valider le modele propose