Modelisation et simulation de l'interdiffusion de gallium dans la croissance heteroepitaxiee de cdte sur gaas

par AMAL BENNIS

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Daniel Estève.

Soutenue en 1989

à Toulouse 3 .

mots clés

• Physique
• Etat condense
• Proprietes mecaniques et thermiques
• Etude experimentale
• Diffusion mutuelle
• Compose mineral
• Metal transition compose
• Epitaxie
• Heteroepitaxie
• Croissance cristalline
• Segregation impurete
• Coefficient diffusion
• Simulation ordinateur
• Dislocation
• Couche mince
• Interface solide solide
• Orientation cristalline
• Microscopie electronique transmission
• Cadmium tellurure
• Haute resolution
• Spectrometrie sims
• Sonde ionique
• Lacune
• Intersticiel
• Etude theorique
• Contrainte
• Support gaas
• Exodiffusion
• Experimental study
• Interdiffusion
• Inorganic compound
• Transition metal compounds
• Epitaxy
• Heteroepitaxy
• Crystal growth
• Impurity segregation
• Diffusion coefficient
• Computer simulation
• Dislocation
• Thin film
• Solid solid interface
• Crystal orientation
• Transmission electron microscopy
• Cadmium tellurides

Résumé

Etude des diffusions anormales d'impuretes observees aux interfaces dans une heteroepitaxie et plus particulierement de la diffusion de ga dans une couche cdte epitaxique sur un support gaas. Presentation de deux modeles analytiques de diffusion d'impuretes dans une couche epitaxiee en cours de croissance. Les resultats suggerent que la segregation en surface et que les contraintes sont a l'origine de l'exces de ga sur la surface exterieure de cdte

Titre traduit

Modelization and simulation of gallium interdiffusion during the heteroepitaxial growth of cdte on gaas

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