Realisation et caracterisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin : effet du podage et de l'epaisseur du film sur les caracteristiques electriques

par Abdallah Sakri

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Yves Colin.

Soutenue en 1989

à Rennes 1 .

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Résumé

Afin d'identifier l'origine du courant de fuite qui se manifeste a l'etat bloquant dans les structures mos en couches minces (tft) realisees dans du silicium polycristallin, deux series de structures n+nn+ ont ete fabriquees avec ce materiau. Les couches deposees en phase vapeur a basse pression (lpcvd) ont ete diversement dopees par implantation ionique. L'analyse des caracteristiques electriques des transistors et de celles de simples couches-temoins ayant subi les memes traitements thermiques que ceux-ci, a permis de montrer le role joue dans la transmission du courant de fuite par la zone fortement perturbee a partir de laquelle croissent les grains columnaires, qui forment la couche active des transistors. Ces resultats montrent que le courant de fuite: reste independant de la polarisation de la grille tant que le niveau de celle-ci reste faible, depend en revanche du dopage et des conditions de depot, ne depend pas de facon significative de l'epaisseur (90 a 300 nm) du film sipoly

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