Dépôt LPCVD de couches minces de silicium dopé bore in-situ : effet de la pression sur la microstructure et les propriétés électriques
par L'Habib Hamedi
Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Pierre Joubert.
Soutenue en 1989
à Rennes 1 .
- Dépôt en phase vapeur par organométalliques
- Silicium
- Couches minces
- Microstructure (physique)
mots clés
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Résumé
Analyse de couches minces de si dopees b au cours du depot (dopage in-situ), par lpcvd, dans un large domaine de temperature (515 a 70**(o)c) et de pression de gaz sih::(4) (2,5 x 10**(-3) torr). Comparaison avec un depot sans dopage: l'effet du gaz dopant (b::(2)h::(6)) est mis en evidence. L'etude montre principalement l'effet de la pression sur le depot, l'incorporation du dopant, la microstructure des couches et leurs proprietes electriques (en particulier sur la resistivite apres depot sans aucun traitement thermique)
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Titre traduit
In-situ boron doped silicon films deposited by LPCVD : pressurre effect on microstructure and electrical properties
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