Elaboration et caracterisation de couches minces de siliciures de tungstene

par HOCINE KARMED

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de GROLLEAU.

Soutenue en 1989

à Nantes .

mots clés

Résumé

Les siliciures de tungstene en couches minces sont utilises comme materiau de grille et d'interconnexion dans les circuits integres. Des couches minces elaborees par pulverisation cathodique d'une cible wsi#2 ont un rapport atomique si: w egal a 1,1. Pour tenter d'atteindre la stchiometrie wsi#2, nous avons elabore des couches minces de differentes facons: par pulverisation de la cible wsi#2 en presence d'un gaz reactif: le silane, par pulverisation simple d'une cible wsi#2#,#7, par pulverisation alternee de 2 cibles elementaires de w et de si. Le plus grand rapport atomique si: w est obtenu pour des couches minces elaborees a partir de la cible wsi#2#,#7. Ce rapport vaut 1,7. Ces memes couches minces presentent la plus faible resistivite (50 micro-ohm-cm), apres recuit. Des couches minces elaborees a partir de la cible wsi#2#,#7, mais sur des substrats chauds (100 a 500 degres-celsius) ont une resistivite elevee (500-600 micro-ohm-cm), avant recuit. Dans une deuxieme partie, nous avons etudie les impuretes dans les couches minces par differentes methodes d'analyse (aes, xps, sims). L'etude de la repartition de l'oxygene dans les couches minces deposees sur des substrats chauds permet de conclure a l'existence d'un processus de diffusion de l'oxygene dans ces couches dependant de la temperature de chauffage des substrats

Titre traduit

Preparation and characterization of tngsten silicide thin films

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