Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Guy Goureaux.
Soutenue en 1989
à Nantes .
Trois methodes d'obtention de couches minces de mose#2 sont decrites. Les couches minces obtenues ont ete etudiees par microscopie a balayage (meb), analyse a la microsonde electronique et aux rayons x, par spectroscopie d'electrons (xps) ainsi que par absorption optique, ceci en fonction de la nature du substrat et des temperatures de recuit. Il a ete observe que des couches minces stchiometriques peuvent etre obtenues, apres traitement par recuit, quelle que soit la nature du substrat. Elles cristallisent dans le systeme hexagonal, comme en temoigne l'etude aux rayons x. L'absorption optique et l'analyse xps montrent que les cristallites sont de bonne qualite. Les resultats des mesures electriques mettent en evidence l'existence de deux domaines de temperatures. A haute temperature (t>250 k), la conductivite est limitee par les joints de grains. Aux basses temperatures, la conductivite suit une loi en t##1#/#4, correspondant a une conduction par sauts a distance variable entre etats localises
Optimization of mose#2 thin films deposition technics. Characterization to photovoltaic applications
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