Réalisation et étude d'une double hétérostructure laser InAsSb/InAsSbP émettant à plus de 3 microns

par Habib Mani

Thèse de doctorat en Sciences

Sous la direction de André Joullie.

Soutenue en 1989

à Montpellier 2 .

mots clés

• Composés semiconducteurs
• Phosphure d'indium
• Arsenic
• Antimoine
• Épitaxie
• Diodes à semiconducteur
• Lasers à semiconducteurs

Résumé

Des diodes lasers a double heterojonction inassb(p)/inassb(n)/inassbp(n) ont ete elaborees par la technique d'epitaxie en phase liquide sur substrat inas(100) dope au soufre. Ces diodes ont fourni une emission laser en regime pulse entre 15 k et 110 k. A 77 k, la longueur d'onde emise est proche de 3,2 m, avec une densite de courant de seuil 2 ka/cm#2, une temperature caracteristique 40 k, un rendement differentiel externe 8,5%. Nos resultats sont interpretes a l'aide d'un modele phenomenologique de calcul de courant de seuil en fonction de la temperature. A basse temperature (t77 k), le mecanisme predominant qui controle le courant de seuil est le phenomene de recombinaison sur centres profonds. A haute temperature (t300 k), c'est le mecanisme de recombinaisons non radiatives auger qui devient preponderant, impliquant des densites de courant de seuil theoriques de l'ordre de 50 ka/cm#2

Titre traduit

Growth and characterization of a double heterostructure laser inassbinassbp emitting at more than three micrometers

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