1991-01-04T23:59:59Z
2023-10-16T04:14:56Z
Contribution à l'étude des dislocations dans InP dopé et non dopé
1989
1989-01-01
La plasticite d'inp non dope, dope soufre et arsenic est etudiee par une nouvelle technique de fluage, le fluage elementaire, dans un domaine de temperature 423-1023 k. La deformation d'inp et inp:s est observee en microscopie electronique in situ; le fonctionnement des sources de dislocations est examine. L'ensemble des resultats est exploite a l'aide des divers modeles de plasticite. La perturbation des proprietes electroniques par les dislocations est mise en evidence par photoluminescence locale
Phosphure d'indium
Composés semiconducteurs
Optoélectronique
Dislocations dans les cristaux
Zafrany, Michael
Peyrade, Jean-Pierre
Toulouse, INSA