Contribution à l'étude des dislocations dans InP dopé et non dopé

par Michael Zafrany

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Pierre Peyrade.

Soutenue en 1989

à Toulouse, INSA .

mots clés

• Phosphure d'indium
• Composés semiconducteurs
• Optoélectronique
• Dislocations dans les cristaux

Résumé

La plasticite d'inp non dope, dope soufre et arsenic est etudiee par une nouvelle technique de fluage, le fluage elementaire, dans un domaine de temperature 423-1023 k. La deformation d'inp et inp:s est observee en microscopie electronique in situ; le fonctionnement des sources de dislocations est examine. L'ensemble des resultats est exploite a l'aide des divers modeles de plasticite. La perturbation des proprietes electroniques par les dislocations est mise en evidence par photoluminescence locale

Titre traduit

Contribution to the study of dislocations of doped and undoped indium phosphide

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