Thermodynamique des systèmes III-V, As-Ga-In et Al-As et analyse de leur épitaxie par jets moléculaires
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Auteur / Autrice : | Jianyun Shen |
Direction : | Christian Chatillon |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences des matériaux. Métallurgie |
Date : | Soutenance en 1989 |
Etablissement(s) : | Grenoble INPG |
Partenaire(s) de recherche : | autre partenaire : Ecole nationale supérieure d'électrochimie et d'électrométallurgie (Grenoble1921-2008) |
Mots clés
FR
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes mecaniques et thermiques
Etude experimentale
Croissance cristalline
Epitaxie
Compose mineral
Semiconducteur
Condensation faisceau moleculaire
Diagramme phase
Compose iii-v
Analyse thermodynamique
Enthalpie libre
Taux croissance
Solution solide
Vaporisation
Temperature
Aluminium arseniure
Gallium indium arseniure mixte
Energie elastique
Experimental study
Crystal growth
Epitaxy
Inorganic compound
Semiconductor materials
Molecular beam condensation
Phase diagram
Iii-v compound
Thermodynamic analysis
Free enthalpy
Growth rate
Solid solution
Vaporization
Temperature
Aluminium arsenides
Gallium indium arsenides mixed
Résumé
FR
Diagramme de phase et donnees thermodynamiques du systeme ternaire as-ga-in sont optimises a partir des valeurs experimentales disponsibles. Etude de l'influence de l'energie elastique sur le diagramme de phase. Analyse thermodynamique de l'epitaxie par jets moleculaires des multicouches in#1##yga#yas