Elaboration et etude de couches minces isolantes de nitrure de gallium pour la passivation de l'arseniure de gallium

Elaboration and investigation of insulating gallium nitride thin films for the passivation of gallium arsenide

• Auteur / Autrice : Régis Carin
• Direction : André Fortini
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Caen

Résumé

Des couches minces microcristallines de gan ont ete produites par pulverisation cathodique reactive a partir d'une cible de gallium et d'un plasma d'azote. Les depots ont ete effectues a des temperatures assez basses (moins de 400#oc) compatibles avec les substrats de gaas; les couches obtenues sont isolantes, contrairement au cas des monocristaux de gan realises a haute temperature. L'analyse physico-chimique (rbs, esca) atteste la stchiometrie de ces couches; leurs proprietes physiques (seuil d'absorption optique, indice optique) sont les memes que celles des monocristaux. Des structures mis ont ete realisees sur des substrats de gaas et caracterisees par des mesures capacitives; une analyse comparee effectuee avec trois nitrures isolants (si#3n#4, aln, gan) indique que les etats d'interface observes sont analogues: leur origine commune se situe dans le semiconducteur gaas. Le resultat d'une tentative de preparation des substrats par bombardement ionique a l'azote a ete analyse par xps et ups: sont mis en evidence la desoxydation de la surface, la pulverisation selective de gaas, l'implantation d'azote et la formation de gan de facon tres superficielle