Oxydation thermique sous fluor de GaAs 100 : application à la passivation des composés III-IV

Thermal oxidation of GaAs (100) under fluorine: application to the passivation of III-IV compounds

• Auteur / Autrice : Thierry Séguélong
• Direction : Albert-Serge Barrière
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Bordeaux 1

Résumé

A partir de diverses etudes de la composition des films obtenus, fonction de leur etat cristallographique, description de la cinetique de fluoruration pour differentes pressions de fluor et temperature du support pendant la reaction. Grace a cette technique de passivation, la densite d'etats de surface dans gaas, a l'interface couche-support, est res faible. Ainsi une large modulation du potentiel de surface du semiconducteur peut etre obtenue sans hysteresis. Un tel resultat permet d'envisager la formation de composants utilisant des structures mis gaas