Caractérisation des courants de fuite dans les diodes contrôlées par grille sur S. O. I

par Jamel Bouzidi

Thèse de doctorat en Composants électroniques

Sous la direction de Jean Oualid.

Soutenue en 1989

à Aix-Marseille 3 , en partenariat avec Université Paul Cézanne. Faculté des sciences et techniques de Saint-Jérôme (Aix-Marseille) (autre partenaire) .

mots clés

• Silicium
• Dispositifs à couches minces
• Surfaces (physique)
• Diodes
• Conduction électrique
• Composants électroniques -- Essais

Résumé

Le travail presente dans ce memoire a consiste en la caracterisation de la qualite electronique de couches soi et de leurs deux interfaces en mesurant les grandeurs fondamentales associees (durees de vie de generation des porteurs minoritaires et vitesses de generation interfaciales) sur des diodes controlees par grille. Cette caracterisation a ete effectuee sur des plaquettes de puces test, elaborees au laboratoire de microelectronique de louvain-la-neuve (ucl) et au leti, par l'etude de la variation du courant inverse de la jonction de diodes controlees par grille sur film mince soi obtenu par recristallisation laser en fonction de la temperature et de la polarisation de grille ou de substrat, ce qui a permis d'acceder aux valeurs des grandeurs fondamentales

Titre traduit

Caracterization of leakage currents in gate controlled diodes made in S. O. I.

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