Etude de l'interface plomb-silicium(111) par ellipsométrie spectroscopique

par Alain Degiovanni

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Gilbert Quentel.

Soutenue en 1989

à Aix-Marseille 3 , en partenariat avec Université Paul Cézanne. Faculté des sciences et techniques de Saint-Jérôme (Aix-Marseille) (autre partenaire) .

mots clés

• Plomb
• Silicium
• Surfaces (physique) -- Propriétés optiques
• Cristaux métalliques -- Croissance

Résumé

Etude des premiers stades de la croissance de pb sur si(111) et des proprietes electroniques et optiques des phases bidimensionnelles dans le domaine de la sous monocouche. Cette etude est effectuee par une sonde optique en analysant les variations de polarisation de la lumiere reflechie. La modelisation, basee sur la superposition des etats de polarisation, met en evidence 3 phases bidimensionnelles a des recouvrements 1/3, 2/3 et 1. Calcul des fonctions dielectriques de ces 3 phases bidimensionnelles. Observation d'une excitation electronique des cristallites tridimensionnelles pour des recouvrements superieurs a la monocouche

Titre traduit

Study of PB-SI (111) interface by spectroscopic ellipsometry

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