Resonance paramagnetique electronique des defauts ponctuels intrinseques dans gaas apres une deformation plastique
FR |
EN
Auteur / Autrice : | SALIHA BENAKKI STIET |
Direction : | Alfred Goltzené |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1988 |
Etablissement(s) : | Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008) |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes mecaniques et thermiques
Etude experimentale
Compose mineral
Defaut ponctuel
Spectre rpe
Traitement thermique
Deformation plastique
Dislocation
Gallium arseniure
Gallium phosphure
Experimental study
Inorganic compound
Point defect
Epr spectrum
Heat treatment
Plastic deformation
Dislocation
Gallium arsenides
Gallium phosphides
Résumé
FR
Presence de plusieurs signaux, dont celui attribue a l'antisite anionique as::(ga), correle au donneur profond el2. Les parametres de ce ernier (constante d'interaction hyperfine a, largeur de raie laplacien de h) sont constants en fonction de la deformation et des traitements thermiques. Ces donnees, ainsi que les resultats obtenus sur gap irradie aux neutrons rapides, sont en faveur de l'attribution du signal observe ici au defaut ternaire as::(ga)v::(a)**(s)v::(ga). Attributions des signaux intenses observes apres les traitements a t>500**(o)c a des porteurs generes par separation spatiale au voisinage des inhomogeneites