Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Jean Philibert.
Soutenue en 1988
à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .
L'observation de l'endommagement crée in situ dans un microscope électronique à haute tension montre une forte variation du taux de germination des cavités et de la densité de dislocations quand on passe du nickel aux alliages nio, 1%si et nio. 8%sb. Le taux de germination des cavités diminue d'un facteur 10 dans nisi et augmente d'un facteur >5 dans nisb à 350c. Par contre, l'alliage nige a un comportement voisin de celui du nickel. Des expériences d'annihilation de positons effectues sur les mêmes alliages mettent en évidence un piégeage des lacunes par les solutés si, ge et sb. L'interaction soluté(s)-lacune conduit à une migration effective des lacunes à longue distance a température beaucoup plus élevée dans les alliages nige et nisb que le nickel. Un modelé simple de germination homogène en régime stationnaire prenant en compte une densité de dislocations variables est utilisé pour calculer le taux de germination des cavités. Le calcul montre que le taux de germination augmente fortement quand l'énergie de formation des lacunes ou l'énergie de migration des lacunes augmentent et quand l'énergie de migration des interstitiels diminue. Les variations sur le taux de germination des cavités expérimentalement observées en présence des solutés peuvent en partie être expliquées par les effets des solutés sur la cinétique de migration des interstitiels et des lacunes
Effects of Si, Ge, Sb solut atoms on the void nucleation in electron irradiated nickel
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