Étude de la diffusion de l'hydrogène dans le silicium : interactions avec les impuretés

Hydrogen diffusion into silicon

• Auteur / Autrice : Abdelhamid Chari
• Direction : Marc Aucouturier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Chimie
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Paris 11
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Traitement thermique

Neutralisation (chimie)

Passivité (chimie)

Plasmas (gaz ionisés)

Hydrogène

Silicium

Mots clés libres

Infrarouge-mesures électriques

Complexes hydrogène-dopants

Résumé

Ce travail concerne le comportement physico-chimique de l’hydrogène dans le silicium. Dans une première partie, nous avons décrit par des techniques de mesure électrique l’interaction entre l’hydrogène et les dopants. Nous avons observé que l'hydrogène désactivait une proportion importante des accepteurs peu profonds dans le silicium. L'étude du comportement en diffusion de l’hydrogène dans le silicium montre que le processus de diffusion dépend fortement du type de conductivité et surtout du taux de dopape. Les mesures d'absorption infrarouge ont montré que l’hydrogène formé de complexe (Si H---B) neutre dans lequel la liaison de l’hydrogène se fait principalement avec le bore. La deuxième partie de ce travail concerne l'activité électrique du joint de flexion symétrique Σ=25 du silicium. Brut de croissance, ce joint est inactif. Il devient actif à la suite de traitements thermiques adéquats. Cette activité électrique a été corrélée à la présence de cuivre ségrégé ou précipité dans le joint. La passivation par l’hydrogène de cette activité électrique est sélective.