Propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné : courants limités par charge d'espace et photoconduction

Electronical properties of hydrogenated amorphous silicon : space charge limited currents and photoconduction

• Auteur / Autrice : Karima Haddab
• Direction : M. Gauthier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Paris 11
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Photoconductivité

Silicium

Mots clés libres

Silicium amorphe hydrogéné

Densité d'états

Courants limités par charge d'espace

Résumé

Les propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogène sont déterminés par la densité d’états dans la bande interdite. A partir de la méthode des courants limités par charge d’espace (CLCE) sous excitation lumineuse, nous avons pu déterminer cette densité d’états dans un domaine d’énergie situé au-dessus du niveau de Fermi. Nous avons obtenu une densité d’états exponentielle de température caractéristique de l’order de 1000k. Nous proposons une discussion sur la différence dans les pentes de densité d’états déterminées à partir de la méthode précédente, de la méthode CLCE à l’obscurité et à partir des mesures de photoconductivité. Dans une deuxième partie nous avons fait des mesures de rendement et du temps de réponse de la photoconductivité dans un large domaine de flux. La comparaison du rapport d’électrons piégés aux électrons libres obtenu expérimentalement avec le même rapport obtenu à partir d’un calcul a permis de montrer la validité des densités d’états obtenues par CLCE sous excitation lumineuse.