Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures gaas/gaalas pour transistors bipolaires
par Jean-Christophe Harmand
Thèse de doctorat en Sciences appliquées
Sous la direction de GILLES DE ROSNY.
Soutenue en 1988
à Paris 7 .
- Sciences appliquees
- Electronique
- Transistor
- Transistor heterojonction
- Gallium arseniure
- Aluminium gallium arseniure
- Epitaxie
- Jet moleculaire
- Fabrication
- Compose iii-v
- Desorption
- Croissance cristalline
- Superreseau
- Transistor
- Heterojunction transistor
- Gallium arsenides
- Aluminium gallium arsenides
- Epitaxy
- Molecular jet
- Manufacturing
- Iii-v compound
- Desorption
- Crystal growth
- Superlattice
mots clés
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Résumé
Ce travail concerne la fabrication de couches de semiconducteurs iii-v et la realisation de structures pour transistors bipolaires a heterojonction. Ces structures font appel aux composes gaas, gaalas et gainas elabores par epitaxie par jets moleculaires. On etudie l'influence des conditions de croissance sur les caracteristiques des materiaux et notamment l'evolution des coefficients de collage des elements iii et la pression minimale d'arsenic necessaire a la croissance. On tente de modeliser les resultats experimentaux par une approche thermodynamique de l'epitaxie par jets moleculaires. On analyse les caracteristiques electriques des transistors en regime statique
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Titre traduit
Ability of molecular beam epitaxy in gaas/gaalas heterostructure growth for bipolar transistors
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