Etude des degradations dues a l'injection de porteurs chauds dans une structure n mos

par Marc Bourcerie

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Georges Alquié.

Soutenue en 1988

à Paris 6 .

mots clés

• Sciences appliquees
• Electronique
• Transistor effet champ
• Transistor mos
• Degradation
• Porteur chaud
• Defaut electrique
• Etat electronique interface
• Piege electrique
• Duree vie
• Field effect transistor
• Mos transistor
• Degradation
• Hot carrier
• Electric fault
• Interface electron state
• Electric trap
• Lifetime

Résumé

Trois types de defauts sont crees au cours de la contrainte du transistor mos: etats d'interface, etats lents et pieges d'oxyde et identifies par des injections breves de trous et d'electrons dans l'oxyde. Les tensions de grille appliquees jouent un role important dans le type de defauts: les tensions faibles creant en majorite des pieges a trous et a electrons, les tensions moyennes, des defauts d'interface et les tensions elevees, les pieges d'oxyde. On etudie aussi la largeur du transistor, le comportement de structures a oxyde humide, ainsi que la duree de vie des dispositifs

Titre traduit

A study of the damage induced by hot carrier stressing of n mos transistors

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