Etude de l'interface gaas/electrolyte : apport des mesures de photocapacite et des modifications de surface par depot electrolytique de metaux
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Auteur / Autrice : | Philippe Allongue |
Direction : | Hubert Cachet |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Chimie |
Date : | Soutenance en 1988 |
Etablissement(s) : | Paris 6 |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Chimie
Chimie generale et physique
Interface electrolyte semiconducteur
Electrode
Semiconducteur
Gallium arseniure|act
Photocapacite
Depot electrolytique
Transfert charge
Barriere schottky
Structure surface
Conductivite type n
Semiconductor electrolyte interface
Electrodes
Semiconductor materials
Gallium arsenides
Photocapacitance
Electroplating
Charge transfer
Schottky barrier
Surface structure
N type conductivity
Résumé
FR
Description des mecanismes de stabilisation des jonctions n-gaas/electrolyte