Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Guy Goureaux.
Soutenue en 1988
à Nantes .
L'effet du dopage a ete analyse par diffraction rx, microscopie electronique a balayage, spectrometrie de masse des ions secondaires, diffusion raman, emission photoelectronique rx, emission electronique auger. On effectue des mesures de conductivite electrique, d'effet hall et de pouvoir thermoelectrique en fonction de la temperature, de la concentration initiale en halogene et du vieillissement. On en deduit que, seule une fraction d'halogene, non uniformement reparti, a un role electriquement actif
Halogen doped polycristalline selenium thin film characterization and metal/selenium interface study (metal=cr, bi, te)
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