Nouvelles méthodes de caractérisation et modèles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques
par Hisham S Haddara
Thèse de doctorat en Physique composants semiconducteurs
Sous la direction de Sorin Cristoloveanu.
Soutenue en 1988
à Grenoble INPG .
- Sciences appliquees
- Electronique
- Transistor effet champ
- Transistor mos
- Modelisation
- Vieillissement
- Caracterisation
- Etat electronique interface
- Contact oxyde semiconducteur
- Submicronique
- Field effect transistor
- Mos transistor
- Modeling
- Ageing
- Characterization
- Interface electron state
- Semiconductor oxide contact
- Submicron
mots clés
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Résumé
On etudie le transistor tmos a canal court a l'aide d'un simulateur bidimensionnel en tenant compte des inhomogeneites de l'interface. On presente ensuite une nouvelle methode d'extraction des parametres des transistors degrades. On propose une configuration nouvelle du transistor mos plus performante que les structures classiques. Une partie est consacree aux methodes de caracterisation de l'interface si-sio2. La derniere partie est relative au vieillissement des transistors mos ultra-courts en comparant les donnees theoriques obtenues par les methodes developpees au debut et les resultats experimentaux mesures sur des dispositifs.
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Titre traduit
New methods of characterization and physical models for ageing of submicron mos transistors
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