Diodes laser a puits quantique : modelisation physique et realisation par epitaxie par jets moleculaires de dispositifs gaas/gaalas
par Béatrice Saint-Cricq
Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Henri Martinot.
Soutenue en 1987
à Toulouse 3 .
- Physique
- Domaines classiques de la physique
- Laser semiconducteur
- Laser injection
- Gain
- Regle selection
- Epitaxie
- Faisceau moleculaire
- Aluminium gallium arseniure mixte
- Puits quantique
- Modele
- Semiconductor laser
- Injection laser
- Gain
- Selection rule
- Epitaxy
- Molecular beam
- Aluminium gallium arsenides mixed
- Quantum well
- Models
mots clés
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Résumé
Le traitement theorique des mecanismes d'emission dans les puits quantiques s'appuie sur un modele original pour les regles de selection lors de la transition. Sur cette base, la methodologie de calcul du gain optique et des caracteristiques gain-courant est presentee et est completee par l'analyse des proprietes de propagation et de la condition d'oscillation laser. Une methodologie globale de determination de la densite de courant de seuil est presentee et les regles d'optimisation des dispositifs sont discutees. En ce qui concerne la realisation des diodes laser, les parametres technologiques les plus sensibles sont etudies et la procedure d'elaboration definie pour la croissance des puits quantiques
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