Uniquement les thèses soutenues
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Etude de la cristallisation en phase solide de couches minces de silicium implantees
par Yvon Pastol
Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Jacques Bourgoin.
Soutenue en 1987
à Paris 7 .
- Physique
- Etat condense
- Proprietes mecaniques et thermiques
- Etude experimentale
- Non metal
- Couche mince
- Cristallisation
- Implantation ion
- Bore ion atomique
- Phosphore ion atomique
- Silicium ion atomique
- Recuit
- Recuit thermique
- Conductivite electrique
- Texture
- Etat amorphe
- Silicium
- Experimental study
- Non metal
- Thin film
- Crystallization
- Ion implantation
- Boron atomic ions
- Phosphorus atomic ions
- Silicon atomic ions
- Annealing
- Thermal annealing
- Electrical conductivity
- Texture
- Amorphous state
- Silicon
mots clés
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Résumé
Etude des effets de dopage par implantation de bore et de phosphore. Etude du role des defauts d'irradiation dans des couches implantees au silicium. Les couches implantees et non implantees sont cristallisees en phase solide par recuit thermique a basse temperature. Etude de la taille des grains, de la texture, de la morphologie de surface et de la conductivite electriques des couches en fonction de la concentration d'ions implantes
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Titre traduit
Study of solid-phase crystallization in ion-implanted silicon thin films
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Pas de résumé disponible.
