Diodes schottky sur silicium amorphe hydrogene : caracterisations, densite d'etats localises
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Auteur / Autrice : | Tahar Abachi |
Direction : | GUY GOUVEAUX |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences appliquées |
Date : | Soutenance en 1987 |
Etablissement(s) : | Nantes |
Résumé
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Des couches minces de silicium amorphe hydrogene deposees par decharge plasma ont ete caracterisees par mesures d'absorptions optique, ir, de spectroscopie d'electrons (esca xps), de resistivite et de pouvoir thermoelectrique ainsi que par etude de diodes schottky