Thèse soutenue

Diodes schottky sur silicium amorphe hydrogene : caracterisations, densite d'etats localises
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Auteur / Autrice : Tahar Abachi
Direction : GUY GOUVEAUX
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences appliquées
Date : Soutenance en 1987
Etablissement(s) : Nantes

Résumé

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Des couches minces de silicium amorphe hydrogene deposees par decharge plasma ont ete caracterisees par mesures d'absorptions optique, ir, de spectroscopie d'electrons (esca xps), de resistivite et de pouvoir thermoelectrique ainsi que par etude de diodes schottky