Thèse soutenue

Caractérisation d'un plasma RF : Influence des paramètres du plasma sur les dépôts de passivation du phosphure d'indium (INP)
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Auteur / Autrice : Aomar Ait Saada
Direction : Serge Ravelet
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences appliquées
Date : Soutenance en 1987
Etablissement(s) : Nancy 1
Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques - Université de Nancy I (1970-2012)

Résumé

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L'INP est un semiconducteur de la famille III-V ; il est l'un des plus étudiés à cause de l'intérêt qu'il présente pour les circuits optoélectroniques et de commutation à grande vitesse. Nous avons utilisé un plasma RF d'oxygène pour passiver la surface de l'INP. Notre but consiste à étudier les caractéristiques de l'oxyde réalisé dans différentes conditions d'oxydation et à relier ses paramètres à ceux du plasma, afin de trouver les conditions optimales d'oxydation donnant un oxyde renfermant le moins de défauts. Pour ceci, nous avons caractérisé le plasma d'oxygène par sonde électrostatique. Les paramètres de la décharge : densité, température, potentiels etc. . . Suivant le gaz et diverses conditions de pression, température, polarisation du substrat ont pu être déterminés. Les oxydes formés sont étudiés par caractérisation électrique I(V) et C(V), ce qui nous a permis de voir l'influence des paramètres du plasma, particulièrement les tensions de gaines, sur les propriétés de l'oxyde : épaisseur, capacité, résistivité, défauts de charges etc. . . Les études sont faites avec échantillon au potentiel flottant ou polarisé. L'analyse de la composition en éléments atomique de la surface de l'oxyde est faite par spectroscopie auger (AES). Ce qui nous a permis de faire ressortir l'impact des conditions d'oxydation sur la nature des éléments à la surface de l'oxyde