Simulation bidimensionnelle du transistor à effet de champ AsGa à grille submicronique : application à l'optimisation des composants faible bruit

par Frédéric Héliodore

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Georges Salmer.

Soutenue en 1987

à Lille 1 .

mots clés

• Transistors à effet de champ -- Simulation, Méthodes de
• Bruit électronique
• Surfaces (technologie)

Résumé

Un modèle de résolution bidimensionnelle qui permet une description précise des divers phénomènes intervenant dans le fonctionnement du TEC à grille submicronique. Ce modèle a permis d'analyser les influences du profil de dopage de la couche active, des phénomènes de surface et d'interface couche active-substrat semi-isolant, et de préciser l'intérêt de nouvelles structures à canal enterré (buried channel)

Titre traduit

Two dimensional simulation of submicrogate gaas field effect transistors : optimization of low noise devices

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