CONTRIBUTION A L'ETUDE DE CERTAINS ELEMENTS DE TRANSITION DANS LES SEMICONDUCTEURS PAR METHODE DE PHOTOCONDUCTIVITE (GaAs:V, Si:Au, Si:Pt)

IMPURITIES LEVELS OF TRANSITON METALS IN SEMICONDUCTORS : PHOTOCONDUCTIVITY OF GaAs:V, Si:Au, Si:Pt

• Auteur / Autrice : Annick Brilhault
• Direction : Jean-Pierre Peyrade
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Toulouse, INSA

Mots clés

Mots clés libres

Niveau impurete

Photoconductivite

Etude experimentale

Compose mineral

Non metal

Gallium arseniure

Silicium

Résumé

ETUDE DE TROIS ELEMENTS DE TRANSITION DANS LES SEMICONDUCTEURS PAR PHOTOCONDUCTIVITE. 1)GaAs: NOUS PROPOSONS UN NIVEAU SCHEMA D'ENERGIE. UN NIVEAU SIMPLE ACCEPTEUR (V)**(O)/(V)**(-) A E::(C)-0,16 EV ET UN NIVEAU DOUBLE ACCEPTEUR (V)-/(V), A Ec- 0,65 eV. 2)Si:Au NOUS CONFIRMONS LES POSITIONS RESPECTIVES DES NIVEAUX DONNEUR ET ACCEPTEUR LIES A L'OR A Ev + 0,35 eV ET Ev + 0,63 eV. 3)Si:Pt LES EXPERIENCES REALISEES ONT MIS EN EVIDENCE LE NIVEAU ACCEPTEUR (o/-) DU PLATINE SUBSTITUTIONNEL A UNE ENERGIE DE 0,915 eV PAR RAPPORT A LA BANDE DE VALENCE