Optimisation du silicium amorphe hydrogéné préparé par décharge luminescente à basse fréquence pour l'utilisation dans divers dispositifs de type diode Schottky
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Auteur / Autrice : | François Valentin |
Direction : | Alain Deneuville |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1987 |
Etablissement(s) : | Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015) |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Sciences appliquees
Electronique
Diode barriere schottky
Platine
Basse frequence
Etat amorphe
Gallium indium arseniure mixte
Transistor effet champ barriere schottky
Fabrication
Decharge luminescente
Couche mince
Spectrometrie ir
Conduction thermostimulee
50 khz
Systeme hydrogene silicium
Schottky barrier diode
Platinum
Low frequency
Amorphous state
Gallium indium arsenides mixed
Metal semiconductor field effect transistor
Manufacturing
Glow discharge
Thin film
Infrared spectrometry
Thermostimulated conduction
Résumé
FR
Etude des etapes de realisation d'une structure ga::(0,47)in::(0,53)as/a-si:h/pt