1999-03-13T23:59:59Z
2022-01-19T22:19:03Z
Influence de l'enrichissement superficiel en arsenic sur l'ohmicité du conact n-GaAs:In\Au
1987
1987-01-01
Presentation des differents modeles de jonctions metal-semiconducteur et explication des mecanismes de transport du courant a l'interface. On definit alors le contact ohnique et la resistance specifique de contact. On conclue quand a la faisabilite de contacts ohniques de bonne qualite apres enrichissement de la surface du substrat de n-gaas en arsenic
Arsenic
Semiconducteurs
Arséniure de gallium
Person, Patrice
Martin, Jean-René
Ecully, Ecole centrale de Lyon
Laboratoire de physique chimie des interfaces (Ecully, Rhône)